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韓國電子業巨擘三星電子今（17 ）日將公布史上最高資本支出計畫，台灣雙D業者積極備戰。外傳金額達20兆韓元（177億美元），較先前宣布的8.5兆韓元倍增，並將宣布四年來首度半導體新廠興建案，掀起全球雙D產業旋風。

台灣向來在記憶體與面板業與三星競爭激烈，三星擴充銀彈資源，也等同與台灣友達（2409）、奇美電（3481）、南科（2408）、力晶（5346）等大廠再度宣戰。

面板方面，友達、奇美電強化下游出海口策略；DRAM廠華亞科、南科、瑞晶（4932）等鎖定40奈米世代先進製程開發，與三星正面交鋒。

分析師認為，以往三星年度資本支出在半導體與面板分配比重約為六比四，以20兆韓元推估，三星今年半導體資本支出將高達12兆韓元（約106億美元），總金額已超過台積電（2 330）與英特爾今年資本支出總和的101億元，對全球記憶體業影響不容小覷。

外資上周已開始出脫台股面板族群，一周來賣超友達、奇美電都超過2萬張；DRAM股則小量回補。三星新的資本支出動態，預料也將影響外資對雙D族群持股態度，並牽動大盤走勢。

三星是全球記憶體與面板業龍頭，其有意加碼年度資本支出，顯示景氣仍處於擴張階段。尤其記憶體領域，三星在DRAM 與儲存型快閃記憶體（NAND Flash）已分別跨入40奈米與20 奈米世代技術量產，在業界獨領風騷。

三星今年首季半導體獲利領先全球同業，相較台灣仍有部分DRAM廠未能邁入盈利，三星技術與銀彈雙雙上膛，台廠壓力可謂不小。尤其三星有意蓋新的半導體廠房，是否會再度掀起業界產能大戰，市場關注。

近期記憶體業處於傳統淡季，報價走勢已不如前幾月強勁。DRAM方面，儘管5月上旬合約價力守平盤之上，但1Gb DDR2 與DDR3有效測試顆粒（eTT）現貨市場價格陸續呈現疲態，1Gb DDR2失守2.5美元價位。

先前一路飆漲的利基型記憶體也開始回檔，512Mb DDR1現貨價本季以來跌幅約一成，當下報價力守2美元大關，對鈺創（5351）、晶豪科（3006）等國內業者造成影響。

NAND Flash市況則更顯冷清，控制IC大廠群聯（8299）直言：「現在市況很淡」。以剛出爐的5月上旬合約價為例，普遍呈現下滑，跌幅在1%至8%。業界期望，透過第三季傳統旺季備貨需求，能提振市況。